Nexperia выпускает ведущие

Неймеген, 20 апреля 2023 г.: Компания Nexperia, эксперт в области основных полупроводников, сегодня представила диод Шоттки из карбида кремния (SiC) на напряжение 650 В, предназначенный для силовых приложений, требующих сверхвысокой производительности, низких потерь и высокого КПД. Карбид-диод Шоттки на 10 А, 650 В представляет собой деталь промышленного класса, которая решает проблемы, связанные с высокими напряжениями и сильными токами. К ним относятся импульсные источники питания, преобразователи переменного и постоянного тока, инфраструктура зарядки аккумуляторов, источники бесперебойного питания и фотоэлектрические инверторы, которые обеспечивают более устойчивую работу. Например, центры обработки данных, оснащенные источниками питания, разработанными с использованием SiC-диода Шоттки Nexperia PSC1065K, будут лучше соответствовать строгим стандартам энергоэффективности, чем те, которые используют исключительно кремниевые решения.

PSC1065K обеспечивает высочайшую производительность благодаря независимому от температуры емкостному переключению и нулевому восстановлению, что обеспечивает выдающийся показатель качества (QC x VF). Его превосходные характеристики переключения практически полностью не зависят от изменений тока и скорости переключения. Объединенная структура PiN Шоттки (MPS) PSC1065K обеспечивает дополнительные преимущества, такие как исключительная устойчивость к импульсным токам, что устраняет необходимость в дополнительных схемах защиты. Эти функции значительно снижают сложность системы и позволяют разработчикам аппаратного обеспечения достигать более высокой эффективности при меньших форм-факторах в защищенных приложениях с высоким энергопотреблением. Разработчиков может еще больше успокоить проверенная репутация Nexperia как поставщика высококачественной продукции в области полупроводниковых технологий.

Этот SiC-диод Шоттки заключен в пластиковый корпус со сквозными отверстиями Real-2-Pin (R2P) TO-220-2. Дополнительные варианты комплектации включают поверхностный монтаж (DPAK R2P и D2PAK R2P) и сквозной монтаж (TO-247-2) с реальной 2-контактной конфигурацией, которая повышает надежность в высоковольтных приложениях при температурах до 175 °C.

Катрин Ферле, старший директор группы продуктов SiC компании Nexperia, добавляет: «Мы гордимся тем, что предлагаем высокоэффективный SiC-диод Шоттки, который входит в число лучших решений, доступных в настоящее время. больший выбор и доступность на рынке, поскольку спрос на крупномасштабные и высокоэффективные приложения значительно возрастает».

Nexperia планирует постоянно пополнять свой портфель SiC-диодов, включая детали автомобильного класса, работающие при напряжениях 650 В и 1200 В с токами в диапазоне 6–20 А. Образцы и объемы производства новых SiC-диодов уже доступны.

Чтобы узнать больше о новых SiC-диодах Шоттки Nexperia на напряжение 650 В, посетите: www.nexperia.com/sic_diodes

Вы также можете углубиться в наши статьи в блоге «Почему все карбид-кремниевые диоды Шоттки не одинаковы» и «8 причин, почему карбид-кремниевые диоды превосходят своих кремниевых аналогов».

Для сравнения PSC1065K от Nexperia с существующими аналогами MPS и JBS высшего уровня см. эти диаграммы: • Поведение при переключении • Эффективность топологии с коррекцией коэффициента мощности (PFC) • Выдающаяся добротность

О Нексперии

Nexperia — ведущий эксперт в крупносерийном производстве основных полупроводников — компонентов, необходимых для каждой электронной конструкции в мире. Обширное портфолио компании включает диоды, биполярные транзисторы, устройства защиты от электростатического разряда, МОП-транзисторы, GaN-транзисторы, а также аналоговые и логические ИС. Компания Nexperia со штаб-квартирой в Неймегене, Нидерланды, ежегодно отгружает более 100 миллиардов продуктов, соответствующих строгим стандартам, установленным автомобильной промышленностью. Эти продукты признаны эталонами эффективности – по технологическому процессу, размеру, мощности и производительности – благодаря лучшим в отрасли небольшим корпусам, которые экономят ценную энергию и пространство.